Poudre brute de SiC de haute pureté/poudre grossière de SiC (5N-6N)
DESCRIPTION DU PRODUIT
La poudre de carbure de silicium de haute pureté est un matériau céramique hautes performances doté d'excellentes propriétés physiques et chimiques. Elle est principalement composée de carbure de silicium (SiC) de haute pureté. La pureté de la poudre brute de SiC 5N-6N est généralement de 99,999 % à 99,9999 %, avec une teneur extrêmement faible en impuretés telles que le fer, l'aluminium et l'oxygène. La teneur totale en impuretés doit être contrôlée entre 0,001 % (10 ppm) et 0,0001 % (1 ppm).
Les plus courants sont l'α-SiC (système hexagonal, comme les types 4H et 6H) et le β-SiC (système cubique). La poudre grossière de SiC est généralement en phase α et présente une grande stabilité. La granulométrie de la poudre grossière de SiC est comprise entre 10 μm et 100 μm, et la pureté de la poudre brute de SiC peut atteindre 5N (pureté ≥ 99,999 %).
Ce matériau de poudre grossière de SiC a largement dépassé la portée des abrasifs industriels ordinaires ou des matériaux réfractaires. La poudre brute de SiC est le matériau de base de base pour la préparation de la prochaine génération de dispositifs semi-conducteurs hautes performances.
CARACTÉRISTIQUES DE LA POUDRE BRUTE DE SiC
Pureté de la poudre brute de SiC : 99,999 % (5N) à 99,9999 % (6N)
Taille des particules : Généralement de 10 à 100 μm (poudre grossière de SiC)
Phase cristalline : principalement α-SiC (polytypes 6H ou 4H pour les applications électroniques)
Principales impuretés :
Métaux (Fe, Al, Ni, Cr) : < 1 ppm (6N), < 5 ppm (5N)
Oxygène (O) : < 50 ppm
Azote (N) : < 20 ppm
Carbone libre (C) : < 0,1 %
DÉTAILS DU PRODUIT
Pureté du carbure de silicium : 99,999 % (5N) à 99,9999 % (6N).
La poudre brute de SiC de haute pureté est un matériau de base essentiel pour la fabrication haut de gamme, et avec le développement d'industries telles que les nouvelles énergies et la 5G, la demande continue de croître.
Dans l'industrie des semi-conducteurs, il est utilisé comme matériau de base pour la croissance de lingots monocristallins de carbure de silicium par transfert physique en phase vapeur (PVT). La poudre se sublime à haute température, est transportée vers le germe cristallin pour recristallisation et se transforme en lingot monocristallin destiné à la fabrication d'une plaquette. Outre sa dureté élevée, sa conductivité thermique élevée et sa résistance aux chocs thermiques, la poudre haute pureté 5N-6N se caractérise par une pureté extrême.
La poudre de carbure de silicium haute pureté 5N-6N est la perle rare de l'industrie des semi-conducteurs. Il ne s'agit plus d'une simple poudre, mais d'un matériau fonctionnel de pointe exigeant une pureté extrême, une structure cristalline précise et un contrôle granulométrique rigoureux. Sa préparation représente un défi majeur qui englobe la science des matériaux, la chimie, la thermodynamique et l'ingénierie, et joue un rôle important dans le développement des futurs véhicules électriques, des nouvelles énergies et des technologies de communication 5G.
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