Plaquette RSiC haute pureté à dents longues de 8 pouces
La nacelle de wafer de 8 pouces est un support spécialisé fabriqué en carbure de silicium recristallisé (RSiC), spécialement conçu pour l'usinage de wafers de 200 mm. Sa conception unique à dents longues optimise considérablement la dissipation thermique tout en permettant l'intégration multipuce haute densité. Elle présente des performances exceptionnelles, notamment une résistance aux hautes températures, une immunité à la corrosion, une résistance mécanique supérieure et d'excellentes propriétés de semi-conducteur. Ce support est indispensable pour la fabrication de circuits intégrés, la production de LED et d'autres applications microélectroniques.
Cette nacelle de wafer de 8 pouces maintient des niveaux de contamination minimaux et des tolérances de fabrication précises, offrant un support fiable pour les processus de préparation de semi-conducteurs à haute température. Notre entreprise fabrique différentes configurations, notamment des nacelles de type tuiles, des structures à trois et quatre colonnes, disponibles en 6 pouces, 8 pouces et 12 pouces. La nacelle RSiC est largement utilisée dans les domaines des semi-conducteurs et du photovoltaïque, et est particulièrement adaptée aux processus d'oxydation et d'implantation ionique de wafers de petite taille.
PARAMÈTRES TECHNIQUES DU MATÉRIAU
Industries des semi-conducteurs/photovoltaïques | RSiC |
Pureté du SiC (%) | 99,9-99,99 |
Masse volumique apparente (g/cm3) | 2,65-2,75 |
Porosité apparente (%) | 15-16 |
Résistance à température ambiante (MPa) | 90 |
Résistance à 1300℃ (MPa) | 100 |
Résistance de la connexion du corps fritté (MPa) | 25 |
DÉTAILS DU PRODUIT
La nacelle RSiC représente une solution de support haut de gamme, spécialement conçue pour les wafers de 200 mm (8 pouces), largement utilisée dans les procédés thermiques critiques des semi-conducteurs, notamment les étapes de diffusion et d'oxydation. Cette nacelle de 8 pouces, de pointe, utilise du carbure de silicium recristallisé comme matériau de base, renforcé par un revêtement en carbure de silicium appliqué par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Elle allie ainsi intégrité structurelle et protection de surface supérieure.
Le wafer boat RSiC maintient une parfaite compatibilité de dilatation thermique entre le substrat et le revêtement, éliminant ainsi les risques de fissuration ou de délaminage.
La nacelle RSiC présente une stabilité thermique remarquable grâce au point de fusion élevé et à l'inertie chimique inhérents au carbure de silicium. Elle maintient une intégrité structurelle et des performances constantes à des températures de traitement supérieures à 1250 °C, sans ramollissement, déformation ni contamination environnementale. Avec une durée de vie typique de 2 à 3 ans, cette nacelle de 8 pouces réduit considérablement la fréquence de remplacement et les coûts de maintenance, minimisant ainsi les temps d'arrêt des équipements et améliorant la rentabilité de la production.
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