Céramique électronique RSiC pour la cuisson d'éléments électriques
DESCRIPTION DU PRODUIT
Les céramiques RSiC (carbure de silicium recristallisé) révolutionnent la fabrication d'éléments électriques grâce à leurs propriétés physiques et chimiques exceptionnelles. Ce matériau de pointe permet des innovations majeures dans la cuisson d'éléments électriques, notamment pour les céramiques électroniques et les semi-conducteurs hautes performances. Les caractéristiques uniques du RSiC offrent un contrôle inégalé de l'environnement de cuisson, garantissant des résultats optimaux pour les éléments électriques sensibles lors des étapes critiques du traitement thermique.
Caractéristiques du RSiC dans la cuisson des éléments électroniques
Contrôle de précision à très haute température
Fonctionnement stable à long terme à 1600°C avec capacité à court terme jusqu'à 1800°C ;
Uniformité supérieure du champ thermique
Conductivité thermique réglable (1,2-45 W/mK) grâce à une conception de porosité optimisée ;
Capacité de frittage rapide : variation de surface de plaquette de ±0,5 °C à des vitesses de chauffage de 100 °C/min (co-cuisson d'électrodes MLCC) ;
Frittage de précision : stabilité du champ thermique de ±0,2°C à des vitesses de chauffage de 5°C/min (traitement du substrat LTCC) ;
Pureté absolue du processus : environnement sans contamination pour les céramiques électroniques sensibles ;
Durée de vie prolongée
PARAMÈTRE PRINCIPAL
Industrie des équipements de fours à haute température | RSiC |
Teneur en SiC (%) | ≥ 99% |
Masse volumique apparente (g/cm3) | 2,65~2,75 |
Porosité apparente (%) | <17 |
Résistance à température ambiante (MPa) | 90~100 |
Résistance à 1300℃(MPa) | 100-110 |
Module d'élasticité à 20℃ | 240 |
Conductivité thermique à 1200℃ (W/mk) | 36 |
Dilatation thermique x10-6/℃ | 4.6 |
Température maximale d'utilisation (℃) | 1650℃ |
Dureté à 20°C (Kg/mm2) | 2000 |
Ténacité à la rupture à 20° (MpaxM1/2) | 2.0 |
APPLICATION
Fabrication de céramiques électroniques
Condensateurs céramiques multicouches (MLCC) : les plaques de frittage RSiC empêchent les réactions substrat-four ;
Traitement avancé de la céramique électronique avec pureté et stabilité thermique garanties ;
Emballage de l'électronique de puissance
Frittage d'argent MOSFET SiC : les fixations RSiC adaptées au CTE (4,5 × 10⁻⁶/°C) minimisent les contraintes thermiques pendant le frittage sous pression à 250 °C ;
Optimisé pour le déclenchement d'éléments électriques dans la fabrication d'appareils électriques ;
Solutions d'emballage avancées
Conditionnement au niveau de la plaquette Through Glass Via (TGV) : les substrats RSiC maintiennent une planéité < 1 μm/100 mm pendant la refusion du verre à 850 °C ;
Performances supérieures pour l'emballage d'éléments électriques de précision ;
Composants de support
Plaques de poussée légères en frittage avec résistance à la flexion maintenue ;
Supports de plaquettes de précision (spécifications 200 mm/300 mm) ;
Éléments de contrôle de l'atmosphère : RSiC poreux (pores de 10 à 50 μm) avec une uniformité de perméation H₂ de ± 2 % ;
Les céramiques RSiC représentent la référence absolue en matière de cuisson d'éléments électriques, offrant la précision, la pureté et les performances requises pour la fabrication d'appareils électroniques de nouvelle génération.
EMBALLAGE
NOTRE AVANTAGE
En tant que fournisseur de services complets pour la chaîne industrielle du carbure de silicium (SiC), Riseport Global Traders Ltd. (Shenyang) intègre pleinement les ressources en amont et en aval dans son modèle économique et sa chaîne de valeur, créant ainsi une plateforme de commerce extérieur différenciée et compétitive. Nous associons des solutions de services personnalisées à un système de production performant et technologique pour garantir une qualité supérieure et une réactivité optimale. Cela nous permet d'offrir un service mondial fluide et de haute qualité, garantissant ainsi la réussite de nos clients sur les marchés internationaux.
