Plateaux semi-conducteurs RSiC à trois colonnes de 12 pouces
Dans l'industrie des semi-conducteurs, le support de wafer de 12 pouces joue un rôle essentiel sur les lignes de production de puces silicium de 12 pouces (300 mm). Ce support de wafer RSiC est un consommable haute performance intégré aux équipements de traitement du silicium de 12 pouces existants, notamment dans les fours de diffusion verticaux. Fabriqué en carbure de silicium haute pureté, ce support de wafer en carbure de silicium recristallisé de pointe offre des performances exceptionnelles :
1. Résistance exceptionnelle aux hautes températures : le support de plaquettes de 12 pouces maintient l'intégrité mécanique même à des températures supérieures à 1650 °C, empêchant la déformation tout en supportant en toute sécurité les plaquettes lourdes de 12 pouces.
2. Stabilité thermique et résistance aux chocs supérieures : le support de plaquette RSiC résiste à des cycles de chauffage et de refroidissement extrêmement rapides sans se fissurer, raccourcissant considérablement les cycles de processus et améliorant la capacité de production.
3. Ultra-haute pureté et faible contamination : ce support de plaquette en carbure de silicium recristallisé contient un minimum d'impuretés métalliques, moins de contamination que le quartz, ce qui le rend idéal pour les processus avancés sensibles aux impuretés.
4. Conductivité thermique élevée : le support de plaquette de 12 pouces favorise une répartition uniforme de la température dans le tube du four, améliorant ainsi la cohérence du processus.
Nos capacités de fabrication incluent des supports de plaquettes à trois colonnes, à trois et à quatre colonnes. Ces solutions de supports de plaquettes RSiC sont largement utilisées dans les industries des semi-conducteurs et du photovoltaïque, et sont particulièrement adaptées aux procédés d'oxydation et d'implantation ionique avec des plaquettes de plus petite taille.
PARAMÈTRES TECHNIQUES DU MATÉRIAU
Industries des semi-conducteurs/photovoltaïques | RSiC |
Pureté du SiC (%) | 99,9-99,99 |
Masse volumique apparente (g/cm3) | 2,65-2,75 |
Porosité apparente (%) | 15-16 |
Résistance à température ambiante (MPa) | 90 |
Résistance à 1300℃(MPa) | 100 |
Résistance de connexion du corps fritté (MPa) | 25 |
DÉTAILS DU PRODUIT
Support de plaquette en carbure de silicium recristallisé
Le support de plaquette en carbure de silicium recristallisé est fabriqué à partir d'un substrat en carbure de silicium de haute pureté grâce à la technologie de frittage par recristallisation. Ce support de plaquette RSiC intègre des dents et des rainures usinées avec précision, ce qui permet d'obtenir des surfaces lisses et sans bavures.
Spécialement conçu pour les secteurs manufacturiers exigeant une propreté et une stabilité extrêmes, notamment les semi-conducteurs, le photovoltaïque et les LED, ce support de wafer de 12 pouces a pour principale fonction de maintenir les wafers de silicium de manière sûre et stable. Ce support de wafer RSiC avancé est largement utilisé dans les procédés critiques tels que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), la diffusion thermique et le recuit haute température.
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NOTRE SERVICE
Riseport Global Traders Ltd. (Shenyang) propose des services OEM et ODM, un contrôle qualité tout au long du processus, un suivi en temps réel de l'avancement des commandes, des conseils techniques professionnels et une réponse rapide aux problèmes après-vente. Nous proposons également des solutions logistiques internationales personnalisées pour permettre à nos clients de bénéficier de mises à niveau technologiques et d'une optimisation de leur chaîne d'approvisionnement, garantissant ainsi une satisfaction totale de leurs clients internationaux, de l'approvisionnement à la mise en œuvre.
